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元器件采购网 > M-1708页 > JFET(结点场效应MMBFJ177LT1G

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MMBFJ177LT1G

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MMBFJ177LT1G参数
产品类别:分离式半导体产品-JFET(结点场效应
说明:JFET SS P-CHAN 25V SOT23
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.5mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:800mV @ 10nA
输入电容 (Ciss) @ Vds:11pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(开):300 欧姆
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

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